Описание
Комплект средств проектирования PDK (Process Design Kit) для отечественной полупроводниковой технологии КМОП 90 нм 7 металлов HCMOS10 LP 7M 2.5V представляет собой комплекс программных решений и данных, предназначенных для разработки интегральных схем на базе передового технологического процесса. Этот набор обеспечивает инженеров необходимыми инструментами и моделями для проектирования, моделирования, проверки и верификации полупроводниковых устройств, что позволяет достичь высокой точности и эффективности при создании микросхем. Основные компоненты комплекта включают библиотеки аналоговых примитивов, SPICE-модели транзисторов и диодов, правила проектирования DRC (Design Rule Checking) и LVS (Layout Versus Schematic), файлы технологического процесса и инструменты для учета паразитных эффектов.
Эта среда предназначена для использования в системах автоматизированного проектирования (EDA) и поддерживает работу на аппаратных платформах с архитектурой x86 или совместимой. Минимальные требования к аппаратному обеспечению включают процессор Intel или совместимый серии x86-64 с тактовой частотой не менее 3.2 ГГц, оперативной памяти объемом не менее 16 Гб, дисковым пространством не менее 500 Гб и операционной системой Linux, такими как CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE или «Альт Рабочая станция». Для работы со скриптами требуется Python 3.4 и оболочка ksh. Предоставляемые данные включают описание аналоговых компонентов, моделей устройств, правил проектирования, технологические файлы, документацию и инструменты для автоматизации процессов, что значительно ускоряет и упрощает создание новых схем и их проверку.
Данный комплекс средств проектирования специально разработан для технологий с активным напряжением питания 1.2 В, используя современные стандартные решения, такие как изолированные P-области (DNW), шелюговая изоляция (Shallow Trench Isolation — STI), тонкопланарные поликремниевые слои и кобальт силицидные контакты. Параметры транзисторов включают транзисторы с двумя пороговыми напряжениями, а также устройства с подзатворным диэлектриком толщиной 5 нм для I/O ячеек при напряжении 2.5 В. Металлические слои включают семь уровней, выполненных по технологии Damascene с медными линиями, шагом трассировки 0.28 мкм, что обеспечивает высокую плотность размещения и низкое сопротивление. Металлы разделены межслойным Low K диэлектриком, что способствует снижению паразитных емкостей и повышению скорости сигнала.
Использование данного комплекта средств проектирования позволяет инженерам создавать сложные интегральные схемы с учетом технологических особенностей процесса, обеспечивая высокое качество моделирования и соответствие требованиям производства. Инструменты автоматизации и совместимости с различными EDA-программами содействуют ускорению этапов проектирования и тестирования, а наличие полной документации гарантирует эффективное обучение и поддержку разработчиков. В целом, данный PDK является мощным инструментом для отечественной индустрии полупроводников и способствует развитию инновационных решений в области микроэлектроники.
| Спецификация | Детали |
|---|---|
| Технологический процесс | КМОП 90 нм, 7 металлических слоев, изолированные P-области (DNW), STI, толщиной подзатворного диэлектрика 21 Å, транзисторы с двумя пороговыми напряжениями, подзатворный диэлектрик 5 нм для IO, напряжение питания 1.2 В и 2.5 В |
| Поддерживаемые напряжения и характеристики | 1.2 В для большинства устройств, 2.5 В для I/O, технологии с низким коэффициентом диэлектрической проницаемости (Low K) |
| Металлические уровни | Семь слоев меди по технологии Damascene, шаг трассировки 0.28 мкм, толстый металл для шин питания и RF приложений |
| Материалы и компоненты | Медь для металлизации, поликремний, кобальт силицидные контакты, резисторы на активных областях, активные и пассивные элементы |
| Требования к аппаратному обеспечению | Процессор x86-64 с тактовой частотой ≥3.2 ГГц, 16 Гб RAM, 500 Гб дисковое пространство, Linux (CentOS 7.5 или аналоги) |
| Обеспечиваемые функции | Библиотеки аналоговых примитивов, SPICE-модели, правила DRC/LVS, файлы технологического процесса, инструменты экстракции паразитных элементов, скрипты автоматизации, документация |
Данный комплект средств проектирования является необходимым инструментом для инженеров, работающих в области микроэлектроники и разработке интегральных схем с технологией КМОП 90 нм. Он обеспечивает полный цикл проектирования, моделирования и проверки, что способствует производству высокоточных и надежных микросхем, а также ускоряет процессы разработки новых устройств и их внедрение в промышленное использование.
Если вы обнаружили ошибку, пожалуйста, уведомите нас — выделите текст с ошибкой и нажмите клавиши Ctrl+Enter. Отключите блокировщик рекламы, если после нажатия комбинации кнопок не срабатывает всплывающее окно.
