Описание
Библиотека элементов ввода-вывода с повышенной стойкостью к СВВФ (радиоэлектронная защита), обозначенная как io150u6m, является специализированным набором компонентов, предназначенным для использования в высокотехнологичных интегральных схемах. Данная библиотека включает интерфейсные элементы, которые выполнены в базе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ с технологией SOI (Silicon On Insulator) и нормой производства в 250 нм, что обеспечивает повышенную устойчивость к внешним воздействиям и радиационным факторам, таким как солнечные вспышки или сильные электромагнитные поля.
Основным назначением данной библиотеки является обеспечение проектирования высоконадежных цифровых и смешанных сигнальных интегральных схем (СБИС), требующих повышенной электромагнитной стойкости. Элементы данной библиотеки предназначены для проектирования интерфейсных линий ввода-вывода с напряжением питания 3,3 В, что соответствует современным стандартам электронных устройств, таких как автоматика, средства связи, вооружение и космическая техника. Стандартные параметры элементов, такие как сопротивление, емкость и физические размеры, были разработаны с использованием отечественных технологий, что обеспечивает их соответствие национальным стандартам и требованиям безопасности.
В комплект средств проектирования (КСП) входит широкий набор инструментальных средств, включая моделирование, моделирование и верификацию электрических схем, необходимые для успешного проектирования компонентов интерфейсных линий. В его состав входят схемотехнические модели (schematic), топологические (layout), символьные (symbol) представления интерфейсных элементов, а также технологические файлы и документация.
Технологическая база включает поддержку семейства технологий SOI250 КМОП КНИ 0,25 мкм с напряжением питания 3,3 В. Этот техпроцесс обладает следующими характеристиками: наличие силисцида на активных областях, резисторы на основе активных зон, использование межсоединений из N+ и P+ поликремния, наличие локальных межсоединений из вольфрама и слоёв металлизации разных уровней (Al-Cu, Вольфрам, Резисторы на поликремнии). Возможно использование транзисторов с низким уровнем утечек (см. высокий порог). Также предусмотрены опции, такие как RHIPO резисторы и MIM конденсаторы, позволяющие расширять функциональные возможности интеграционных схем.»
Функционально библиотека представляет собой совокупность элементов, обеспечивающих стабилитные и стойкие к внешним воздействиям входные и выходные интерфейсы. Включает аналоговые примитивы, реализующие пассивные компоненты и специализированные элементы, необходимые для построения интерфейсов и интерфейсных цепей. Также предоставляются модели устройств SPICE для моделирования транзисторов, диодов и других активных элементов, что позволяет инженерам проводить точное моделирование электрических характеристик на этапе разработки, а также тестировать работу схем в условиях приближенных к реальным.
Для обеспечения корректности проектирования используются правила DRC (Design Rule Checking) и LVS (Layout Versus Schematic), которые помогают гарантировать соответствие топологии технологическим ограничениям. Средства экстракции паразитных элементов позволяют учитывать влияние паразитных сопротивлений, индуктивностей и емкостей, что повышает точность моделирования и прогнозируемых характеристик. Технологические файлы содержат всю необходимую информацию о слоях, масках и процессах для изготовления микросхем.
Также в комплект входит документация и руководства (databook, UM), что обеспечивает поддержку инженеров при использовании библиотеки. Скрипты и инструменты автоматизации ускоряют разработочный цикл, а поддержка совместимости с современными EDA-инструментами (Cadence, Mentor Graphics и др.) обеспечивает плотную интеграцию в существующие рабочие процессы проектирования.
Для работы с библиотекой необходимо использовать оборудованные рабочие станции под управлением Linux (CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE или «Альт Рабочая станция») с не менее чем 16 Гб оперативной памяти, процессором не менее 3.2 ГГц, объемом диска не менее 500 Гб. В качестве программных средств поддерживаются Cadence IC6.1.8 и Spectre 19.1.0.237, Mentor Calibre 2019.2 для проведения моделирования, моделирования и верификации схем. Технологический процесс предназначен для изготовления на пластинах с характеристиками: структура Р-типа, слой изолирующего окисла 150 нм, кремний толщиной 76-100 нм, слой силцида и межсоединений из N+ и P+ поликремния, слои металлизации с шагом в 0,64 и 1,28 мкм для внутренней и основной разводки соответственно.
| Спецификация | Детали |
|---|---|
| Технология | SOI250 мкм, КМОП, КНИ, 250 нм, напряжение питания 3.3 В |
| Процесс | Структура Р-типа, слои изоляторов, силицид, резисторы и межсоединения из N+ P+ |
| Напряжение питания | 3,3 В, допускается ±0.3 В |
| Поддерживаемые системы | Linux: CentOS 7.5, AstraLinux 1.7 SE, «Альт Рабочая станция» |
| Минимальные требования к ПК | Процессор x86-64, минимум 16 Гб RAM, диск 500 Гб, графика не требуется |
| Поддержка инструментов CAD | Cadence IC6.1.8, Spectre 19.1, Mentor Calibre 2019.2 |
| Версия библиотеки | io150u6m, в базе отечественной полупроводниковой технологии КМОП КНИ 180 нм (LibMikron_SOI_025_6M) |
| Особенности технологии | Стойкость к спец. факторам, использование силицида, низкий ток утечки транзисторов, наличие резисторов и MIM-конденсаторов, опции RHIPO и другие расширения |
Данная библиотека и комплект средств проектирования являются незаменимыми инструментами для инженеров, разрабатывающих надежные интегральные схемы с повышенной стойкостью к внешним воздействиям в национальной символике микроэлектроники и радиотехники. Они обеспечивают высокую точность моделирования, соответствие технологическим требованиям и позволяют реализовать сложные интерфейсы в условиях повышенных требований к надежности и безопасности электронных систем.
Если вы обнаружили ошибку, пожалуйста, уведомите нас — выделите текст с ошибкой и нажмите клавиши Ctrl+Enter. Отключите блокировщик рекламы, если после нажатия комбинации кнопок не срабатывает всплывающее окно.
