Описание
Фотоэлектрические элементы преобразовывают солнечное излучение в электроэнергию постоянного тока и предназначенные для изготовления фотоэлектрических цепочек и далее модулей Фотоэлектрические элементы представляют собой псевдоквадратные пластины монокристаллического n-легированного кремния с нанесенными слоями аморфного кремния, прозрачными проводящими слоями и напечатанной токопроводящей сеткой. Фронтальные и тыльные контакты выполнены в виде текстурированного антиотражающего ТСО-покрытия. При производстве применяется уникальная технология создания гетероструктурных солнечных элементов на кристаллическом кремнии, разработанная собственным научно-техническим центром ГК «Хевел». Ячейки имеют высокий КПД — 23,5% в производстве.
Дополнительные характеристики
Страна присхождения:
Российская Федерация
Длина:
157.35 мм
Допуск напряжения холостого хода:
3 %
Допуск производственной мощности:
3 %
Допуск тока короткого замыкания:
3 %
КПД:
23.4 %
Масса, г:
7.9
Мощность:
5.275-5.725 Вт
Напряжение максимальной мощности:
0.641 В
Напряжение холостого хода:
0.734 В
Технология:
HJT
Тип ячейки:
М2, M2+
Ток короткого замыкания:
9.4 А
Ток максимальной мощности:
8.94 А
Толщина:
0.14 мм
Ширина:
157.35 мм
Если вы обнаружили ошибку, пожалуйста, уведомите нас — выделите текст с ошибкой и нажмите клавиши Ctrl+Enter. Отключите блокировщик рекламы, если после нажатия комбинации кнопок не срабатывает всплывающее окно.